报告题目：二维材料半导体器件的能谷工程

报告时间：3月21日 周二 中午12:00

报告地点：唐仲英楼B501

报告摘要：能谷指能带色散关系中的极值点，作为一种新的自由度，可用于承载信息。基于能谷自旋自由度的谷电子学，是后摩尔时代半导体发展的一个新兴技术，有望用于解决先进CMOS工艺尺寸微缩遇到的瓶颈。尤其是破缺中心对称性的二维材料，由于其布里渊区边缘能量简并但不全等的两个能谷，具有相反的贝利曲率，可以使用电场直接调控，特别适合于构建量子器件。本报告介绍课题组今年来能谷电子学方向的相关进展。首先讨论能谷霍尔效应，手性纳米天线和元激发能谷极化等技术手段。进而展示可在常温下实现谷信息的产生，传输，探测和控制等全套功能的固态晶体管器件和全Stokes集成偏振仪器件。最后，报告讨论相关贝利曲率极化方法用于强关联量子材料拓扑性质的探索。

报告人简介：王肖沐，南京大学电子科学与工程学院教授，主要从事低维半导体光电器件及器件物理的研究。2012年获香港中文大学博士学位，此后于剑桥大学和耶鲁大学从事博士后研究。2016年入选海外高层次人才青年项目，入职南京大学。在Science，Nature系列等期刊发表SCI学术论文70余篇。主持国家重点研发计划、国家自然科学基金重点项目等科研项目10余项。获教育部自然科学二等奖，求是杰出青年科技奖等。