报告题目：分子束外延生长的拓扑量子材料与器件

报告时间：2025年9月11日（周四）15:30

报告地点：鼓楼校区唐仲英楼 B501

报  告 人：何珂教授，清华大学

摘      要：界面对器件，尤其是对基于拓扑量子材料和效应的器件的功能和性能起着关键作用。超高真空环境下的分子束外延生长技术可以获得原子级清洁、平整、锐利、可控的界面，是制备拓扑量子材料，研究拓扑量子效应的理想手段。然而分子束外延但往往只能用于制备薄膜或垂直方向的异质结构而很难制备平面异质结构和器件，传统微纳结构和器件加工技术的低真空和溶液环境则很容易影响对界面极其敏感的低维拓扑量子材料的性能。如果能在超高真空环境下用分子束外延技术直接生长出平面微纳结构和器件，并对其进行保护，将有可能获得很高的器件质量。此报告将介绍我们在分子束外延生长拓扑量子材料，以及结合选区分子束外延生长技术和片上阴影墙分子束分子束外延生长技术制备平面拓扑量子器件方面的工作。这些结果为拓扑量子材料和效应在电子学和量子计算中的应用打下基础。

报告人简介：何珂，现任清华大学物理系教授。2000年获山东大学学士学位，2006年获中科院物理研究所博士学位，2006年-2009年在日本东京大学从事博士后研究，2009年任中科院物理研究所副研究员，2013年至今在清华大学先后任副研究员和教授。曾获中国青年科技奖、日本仁科亚洲奖、叶企孙物理奖、国家自然科学一等奖等荣誉或奖励。

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