物理学院 School of Physics, Nanjing University

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利用超快光谱光发射电子显微镜研究MoS2/SiO2/Si异质结的电荷转移动力学

2018年12月03日

报告题目: 利用超快光谱光发射电子显微镜研究MoS2/SiO2/Si异质结的电荷转移动力学

报告人:任泽峰研究员,大连化学物理研究所

报告时间:124日中午1200

报告地点:唐楼B501


半导体技术的进步改变了社会,改变了我们的生活。我们的生活高度依赖于现代半导体革命,包括微型晶体管,高效发光二极管(LED),太阳能电池等。在所有这些器件中,电子就像是生命体中的血液,通过在异质结之间的传递实现特殊的功能。未来的半导体技术要求更小的尺寸和更快的速度,这需要进一步理解电子在异质结中是如何转移的。最近,我们在光发射电子显微镜(PEEM)上集成了超快双色泵浦-探测技术,实现了时间、空间、能量和电子密度分辨的四维光谱显微术。这个进步使我们可以拍到半导体异质结间电荷转移的电影。我们将报告我们超快时间分辨PEEM的性能和最近的MoS2SiO2Si异质结研究工作。我们测量了异质结电荷转移动力学过程,为利用2D材料制备高效率的光电转换器件提供一定的指导性。

 

任泽峰,江苏无锡人,2004年毕业于中国科学技术大学化学物理系,2004-2009年在中国科学院大连化学物理研究所分子反应动力学国家重点实验室杨学明院士的指导下获物理化学博士,之后受德国洪堡基金资助跟随Martin Wolf教授在Fritz Haber Institute Max-Planck Society从事博士后工作,2011年底被北京大学量子材料科学中心聘为研究员,2016年秋回到大连化物所工作,任B类组组长和国家重点实验室副主任。在Science, PNAS, Chem. Sci., JACS, J. Phys. Chem. L等杂志发表30余篇研究论文,2008年获得了国家自然科学二等奖,2013年获国家自然科学基金委优青资助。目前的研究兴趣主要是表面超快动力学,表面非线性光谱和发展新的超快动力学方法和技术。

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