物理学院 School of Physics, Nanjing University

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Electronic Structures Study of Ultra-thin Transition Mental Dichalcogendies (TMDs) Films, MoSe2, WSe2 and NbSe2

2015年11月20日

 

报告人:物理学院 张翼教授
       报告时间:
1124日 中午1200
报告地点:唐楼 B501
Title: Electronic Structures Study of Ultra-thin Transition Mental Dichalcogendies (TMDs) Films, MoSe2, WSe2 and NbSe2

Abstract: Materials in 2D limit have many exotic electronic properties that different from 3D bulk states, thus attract extensive research interests recently. Using molecular beam epitaxial (MBE) method, here we report a growth of ultra-thin transition mental dichalcogendies (TMDs) films in single-layer limit, including MoSe2, WSe2 and NbSe2. Our in-situ angle-resolved photoemission spectroscopic (ARPES) study directly revealed the bandgap transition and band structure evolvement with different film thickness of MoSe2 and WSe2. Combining with further photoluminescence spectroscopy, scanning tunneling microscopy (STM) and scanning tunneling spectroscopy (STS), we experimentally observed a rather large exciton binding energy in monolayer MoSe2 and WSe2. For the monolayer NbSe2, the ARPES spectra reveal a simplified electronic structures comparing to the bulk. We also studied the superconductivity and charge density wave (CDW) in monolayer NbSe2.
 
2002年9月—2006年7月    北京大学物理学院       物理学      理学学士
2006年9月—2011年8月    中科院物理研究所       凝聚态物理  博士
2011年9月—2014年8月    美国伯克利国家实验室   博士后
2014年8月—2015年7月    美国斯坦福大学         博士后
2015年8月至今                  南京大学物理学院       青年千人计划入选者,教授
主要研究方向是结合分子束外延和角分辨光电子谱等实验技术从事拓扑绝缘体、二维材料等一系列新兴材料的低维可控生长及电子结表征,对材料的基本物理性质及物理现象进行探索和研究。

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